Improvement of Au‐Free, Ti/Al/W Ohmic Contact on AlGaN/GaN Heterostructure Featuring a Thin‐Ti Layer and Low Temperature Annealing
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Investigation of post-annealing effect on efficient ohmic contact to ZnO thin film using Ti/Al metallization strategy
Ohmic and Schottky contacts are playing a major role in the field of ZnO based electronics device fabrication. It is seen that several works have been reported on metallization scheme, contacts with this semiconducting material. But, the thickness of semiconducting material and the choosing of substrate still remain imperfect and inefficient for advanced IC technology. To estimate contact resis...
متن کاملthe effect of a selfregulatory approach on the improvement of efl learners listening comprehension
تاثیر آموزش مهارت خود محوری بر روی ارتقاء مهارت شنیداری زبان آموزان هدف این پژوهش بررسی عوامل موثر در ارتقا مهارت شنیداری زبان آموزان ایرانی بود. در مرحله اول این تحقیق پژوهشگر پس از انجام مصاحبه نود زبان آموز را با استفاده از تست ایلتس انتخاب شدند. برای بررسی عوامل عوامل موثر در ارتقا مهارت شنیداری زبان آموزان ایرانی از دو نوع فیلم ویرایش شده و ویرایش نشده استفاده گردید.برای انجام تح...
Comparison of nickel silicide and aluminium ohmic contact metallizations for low-temperature quantum transport measurements
We examine nickel silicide as a viable ohmic contact metallization for low-temperature, low-magnetic-field transport measurements of atomic-scale devices in silicon. In particular, we compare a nickel silicide metallization with aluminium, a common ohmic contact for silicon devices. Nickel silicide can be formed at the low temperatures (<400°C) required for maintaining atomic precision placemen...
متن کاملa study on the effectiveness of task types (noticing-reformulation) on iranian low intermediate efl learners’ retention of collocations
چکیده پژوهش شبه تجربی حاضر به بررسی بکارگیری تمارین کلاسی که برانگیزنده آگاهی و توجه آگاهانه به همایندها بعنوان بخشی از یک دوره ی مکالمه زبان خارجی در یکی از آموزشگاه های زبان انگلیسی ایران است می پردازد.
Formation of a Low Ohmic Contact Nickel Silicide Layer on Textured Silicon Wafers Using Electroless Nickel Plating
This paper presents a low cost process for fabrication of high efficiency silicon-based solar cells from front side ARC patterning through contact line metallization. This process utilizes a screen printable etch resist to define the contact pattern and a wet etching solution to remove the exposed ARC layer. The metallization stack for the contact line pattern consists of a nickel silicide ohmi...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: physica status solidi (a)
سال: 2018
ISSN: 1862-6300,1862-6319
DOI: 10.1002/pssa.201700825